日本京都大學研究人員采用強太赫茲脈沖照射普通的半導體材料，使載荷子密度提高。研究人員針對這種現(xiàn)象設計了專門的實驗，將標準半導體材料砷化鎵量子阱樣本暴露太赫茲脈沖下持續(xù)1皮秒，突然暴發(fā)了雪崩式反應，產生大量電子-空穴對，形成激子，發(fā)出近紅外冷光，這種明亮的冷光與載荷子倍增有關，使樣品密度比初始時提高1000倍。

京都大學進行太赫茲波在生物成像技術中的多種應用研究，但將太赫茲波用于研究半導體則是一個完全不同的科學領域。該發(fā)現(xiàn)對于設計和實現(xiàn)超高速晶體管、高效太陽電池、高靈敏光子探測儀等方面具有重要作用。相關研究成果發(fā)表在《Nature Communications》上。